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2009年11月15日

NECエレら、28nmプロセス以降の高集積LSI対応パッケージ技術を開発

STARCら、電源電圧0.5Vで駆動するLSIの開発を産学連携で開始
http://journal.mycom.co.jp/news/2009/07/07/008/

NECエレと東芝、IBMとの半導体技術開発の提携関係を拡大
http://journal.mycom.co.jp/news/2009/06/18/018/

NECエレら、LSIの故障予知を低コストで実現する故障予知技術を開発
http://journal.mycom.co.jp/news/2009/06/17/073/

NECら、ゲート長30nm以下におけるSi結晶欠陥の消費電力への影響を解明
http://journal.mycom.co.jp/news/2009/06/17/046/

NECエレ、RTNの定量モデル化手法を開発 - DMAによる測定手法も開発
http://journal.mycom.co.jp/news/2009/06/16/082/

【レポート】NECエレら、SoC向け高速MRAM技術とCMOSプロセス採用アナログ回路技
術を開発
http://journal.mycom.co.jp/articles/2009/06/15/necel_vlsi_symposium2009/

NECエレクトロニクス
http://www.necel.com/

NEC
http://www.nec.co.jp/
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